Karbid křemíku O polovodiči s širokým bandgapem
Karbid křemíku je považován za polovodič se širokým pásmem kvůli jeho velké energetické pásmové mezeře （přibližně 3.0 eV pro běžný hexagonální polytyp). Tato vlastnost mu umožňuje vydržet vyšší napětí a teploty ve srovnání s běžnými polovodiči na bázi křemíku.
Popis
Popis
Karbid křemíku (SiC) je široce uznáván jako polovodičový materiál se širokým pásmem.
Specifikace
|
Černý karbid křemíku(Produkty mohou býtpřizpůsobené)
|
||||||
|
Účel
|
Specifikace
|
Chemické složení ( procenta )
|
Max. obsah magnetického materiálu ( procenta )
|
|||
|
SIC-min
|
FC-max
|
Fe2O3-max
|
||||
|
Třída brusiva
|
Obilí
|
12-80
|
98
|
0.20
|
0.6
|
0.0023
|
|
90-150
|
97
|
0.30
|
0.8
|
0.0021
|
||
|
180-220
|
97
|
0.30
|
1.2
|
0.0018
|
||
|
Mikroprášek
|
240-4000
|
96
|
0.35
|
1.35
|
-
|
|
|
Žáruvzdorný stupeň
|
Velikost skupiny
(mm)
|
0-1
|
97
|
0.35
|
1.35
|
-
|
|
1-3
|
||||||
|
3-5
|
||||||
|
5-8
|
||||||
|
Jemný prášek
(pletivo)
|
-180
|
97
|
0.35
|
1.35
|
-
|
|
|
-200
|
||||||
|
-240
|
||||||
|
-320
|
||||||
|
Barva
|
Černá
|
|||||
|
Tvrdost (mohs)
|
9.15
|
|||||
|
Bod tání (stupeň)
|
2250
|
|||||
|
Max. provozní teplota (stupně)
|
1900
|
|||||
|
Hustota Ture (g/cm3)
|
3.9
|
|||||
Zde je několik informací o SiC jako polovodiči s širokým pásmem:
- Energie široké bandgap: Karbid křemíku má výrazně širší bandgap energii ve srovnání s tradičními polovodiči, jako je křemík. Bandgap SiC se pohybuje od přibližně 2,2 do 3,3 elektronvoltů (eV), v závislosti na krystalové struktuře a polytypu.
- Vysoké průrazné napětí: Široká pásmová mezera SiC umožňuje vysoké průrazné napětí. Zařízení na bázi SiC mohou odolat vyšším elektrickým polím, než dojde k poruše, díky čemuž jsou vhodná pro vysokonapěťové aplikace.
- Vysokoteplotní provoz: Široká bandgap karbidu křemíku také umožňuje provoz při vysokých teplotách. SiC zařízení si dokážou zachovat svůj výkon a spolehlivost při zvýšených teplotách, díky čemuž jsou vhodná pro aplikace s vysokým tepelným zatížením.
- Efektivní přeměna energie: Široká pásmová mezera SiC v kombinaci s vynikající tepelnou vodivostí a nízkým odporem umožňuje efektivnější přeměnu energie ve srovnání s tradičními zařízeními na bázi křemíku. Výkonová elektronická zařízení na bázi SiC, jako jsou diody, MOSFETy a IGBT (Bipolární tranzistory s izolovanou bránou), nabízejí snížené ztráty energie, vyšší provozní frekvence a zlepšenou energetickou účinnost.
- Vyšší rychlosti přepínání: Široká pásmová mezera a vysoká mobilita elektronů SiC vedou k rychlejším přepínacím rychlostem pro zařízení na bázi SiC. Zařízení SiC se mohou zapínat a vypínat rychleji, což umožňuje vyšší spínací frekvence.
- Široká škála aplikací: Díky vlastnostem polovodičů s širokým pásmovým odstupem je SiC vhodný pro různé aplikace. Běžně se používá ve výkonové elektronice, včetně pohonů elektrických vozidel (EV), systémů obnovitelné energie (jako jsou solární a větrné invertory), průmyslových motorových pohonů a aplikací vysokofrekvenčního spínání.
Vlastnosti polovodičů se širokým pásmovým odstupem karbidu křemíku mu umožňují překonat tradiční polovodiče na bázi křemíku ve vysokonapěťových, vysokoteplotních a vysokovýkonových aplikacích.
Technologie SiC se neustále vyvíjí a má potenciál způsobit revoluci v různých průmyslových odvětvích tím, že umožňuje účinnější, kompaktnější a spolehlivější systémy výkonové elektroniky.
FAQ
Q: Ije cena dohodou?
Odpověď: Ano, pokud máte nějaké dotazy, neváhejte nás kontaktovat. Uděláme vše pro to, abychom podpořili zákazníky, kteří chtějí rozšířit trh.
Q: Cposkytujete vzorky zdarma?
Odpověď: Ano, můžeme poskytnout vzorky zdarma.
Q: Ca používáte naše specifikace k výrobě svých produktů? Jsou podporovány přizpůsobené produkty?
Odpověď: Ano, pokud můžete splnit naše minimální množství objednávky, specifikace produktu lze přizpůsobit.
Otázka: Jste výrobce?
Odpověď: Ano, jsme výrobce se sídlem v Anyang City, provincie Henan.
Populární Tagy: karbid křemíku o polovodič se širokým pásmem
Odeslat dotaz
Mohlo by se Vám také líbit