Karbid křemíku pro vysokofrekvenční provoz
Karbid křemíku (SiC) je vhodný pro vysokofrekvenční provoz v různých aplikacích, včetně výkonové elektroniky, RF zařízení a vysokorychlostních komunikačních systémů.
Popis
Popis
Schopnost SiC pracovat na vyšších frekvencích ve srovnání s tradičními zařízeními na bázi křemíku je výhodná v systémech obnovitelné energie.
Výkonová elektronika na bázi SiC umožňuje vyšší spínací rychlosti, což vede ke snížení ztrát energie a zlepšení celkové účinnosti systému. Tento vysokofrekvenční provoz je zvláště výhodný v systémech připojených k síti, kde jsou kritické rychlé reakce a kvalita napájení.
Specifikace
Chemické složení
|
Specifikace. |
Chemické složení (procenta) |
||
|
Sic |
F.C |
Fe203 |
|
|
Větší než nebo rovno |
Menší nebo rovno |
||
|
SiC98,5 |
98.5 |
0.20 |
0.60 |
|
SiC98 |
98 |
0.30 |
0.80 |
|
SiC97 |
97 |
0.30 |
1.00 |
|
SiC95 |
95 |
0.40 |
1.00 |
|
SiC90 |
90 |
0.60 |
1.20 |
|
SiC70 |
70 |
3 |
|
|
SiC65 |
65 |
5 |
|
|
SiC60 |
60 |
10 |
|
|
SiC55 |
55 |
10 |
|
|
SiC50 |
50 |
10 |
|
Zde jsou některé klíčové body týkající se SiC a jeho použití ve vysokofrekvenčním provozu:
- Široká bandgap: SiC je polovodičový materiál se širokou bandgap, což znamená, že má větší energetickou bandgap ve srovnání s tradičním křemíkem (Si).
- Vyšší rychlosti spínání: Zařízení SiC vykazují vyšší rychlosti spínání díky svým vynikajícím materiálovým vlastnostem, jako je vysoká mobilita elektronů a rychlost saturace.
- Snížené spínací ztráty: SiC zařízení mají nižší spínací ztráty ve srovnání se zařízeními na bázi křemíku.
- Vysoká tepelná vodivost: SiC má vynikající tepelnou vodivost, která umožňuje efektivní odvod tepla ze zařízení.
- RF aplikace: SiC se také používá v radiofrekvenčních (RF) zařízeních a vysokorychlostních komunikačních systémech.
- Bezdrátový přenos energie: SiC se používá v systémech bezdrátového přenosu energie, které pracují na vysokých frekvencích.
Jedinečné vlastnosti karbidu křemíku, včetně široké bandgap, vyšších spínacích rychlostí, nižších spínacích ztrát, vysoké tepelné vodivosti a vhodnosti pro RF aplikace, z něj činí ideální materiál pro vysokofrekvenční provoz.
Zařízení na bázi SiC nabízejí zlepšený výkon, vyšší hustotu výkonu a zvýšenou účinnost v různých vysokofrekvenčních aplikacích napříč výkonovou elektronikou, RF systémy a komunikačními technologiemi.
FAQ
Otázka: Kdy můžete zboží dodat?
Odpověď: Obvykle můžeme zboží dodat do 15-20 dnů poté, co jsme obdrželi platbu předem nebo akreditiv.
Otázka: Jste obchodní společnost nebo výrobce?
Odpověď: Jsme výrobce, založený v roce 2009. Nachází se v Anhui, Chizhou, China.All naši klienti z domova nebo ze zahraničí jsou srdečně vítáni, aby nás navštívili.
Q: Jaké jsou vaše výhody?
Odpověď: Jsme výrobce a máme profesionální výrobní a zpracovatelské a prodejní týmy. Kvalita může být zaručena. Máme bohaté zkušenosti v oblasti feroslitin.
Otázka: Jaká je vaše výrobní kapacita a termín dodání?
Odpověď: 3000 MT / měsíc a odesláno do 20 dnů po zaplacení.
Populární Tagy: karbid křemíku pro vysokofrekvenční provoz
Odeslat dotaz
Mohlo by se Vám také líbit