Karbid křemíku/SiC v minerálech a metalurgii

Karbid křemíku (SiC)je sloučenina křemíku a uhlíku s chemickým vzorcem SiC. Jedná se o polovodič se širokým pásmem, což znamená, že má větší energetickou mezeru mezi valenčním a vodivostním pásmem než tradiční polovodiče, jako je křemík, takže je vhodný pro vysokovýkonové, vysokofrekvenční a vysokoteplotní aplikace.

Karbid křemíku (SiC)existuje v několika polytypech, včetně alfa-SiC, beta-SiC a kubického SiC. Každý polytyp má jiné fyzikální a elektronické vlastnosti a jejich vlastnosti lze dále upravovat vnášením dopingových nečistot do materiálu.

Karbid křemíku (SiC)se používá v různých aplikacích, včetně jako abrazivní materiál v řezných nástrojích a brusných kotoučích, ve vysokoteplotních aplikacích, jako jsou součásti pecí a topné prvky, v elektronických zařízeních, jako jsou vysokovýkonné tranzistory a diody, a v detektorech záření. Díky vlastnostem širokého pásma je zvláště vhodný pro použití ve vysokonapěťové, vysokofrekvenční výkonové elektronice, která se používá v aplikacích, jako jsou elektrická vozidla a systémy obnovitelné energie.