Karbid křemíku SIC98

►Vysoká tvrdost.
►Silná v řezné schopnosti.
►Stabilní v chemických vlastnostech.
►Tepelná vodivost zeleného karbidu křemíku – dobrá tepelná vodivost.

Odeslat dotaz

Popis

Obsah přírodního karbidu křemíku a moissanitu (také známého jako moissanit) je velmi malý. Karbid křemíku používaný v průmyslu je syntetický materiál běžně známý jako smirek. V roce 1891 americký vědec Acheson náhodou objevil karbid v experimentu na taveném diamantu. Tehdy se mylně domníval, že jde o směs diamantů, a tak ji pojmenoval smirkový.

Ve stejném roce Acheson studoval metody průmyslového tavení karbidu křemíku. Je také běžně známá jako Achesonova pec a dodnes se používá. Jedná se o odporovou pec, která využívá uhlíkatý materiál jako jádro pece a elektricky ohřívá směs křemene SiO2 a uhlíku za vzniku karbidu křemíku SIC98.

Specifikace

Modelka	Komponent%
60#	Sic	F.C		Fe203
65#	60 min	15-20	8-12	3,5 max
70#	65 min	15-20	8-12	3,5 max
75#	70 min	15-20	8-12	3,5 max
80#	75 min	15-20	8-12	3,5 max
85#	80 min	3-6		3,5 max
90#	85 min	2,5 max		3,5 max
95#	90 min	1.0max		1,2 max
97#	95 min	0.6 max		1,2 max

Silicium Carbide Factory

Silicium Carbide Suppliers

Průmyslově vyráběný písek z karbidu křemíku SIC98 kromě hlavní složky SiC obvykle obsahuje nečistoty. Mezi tyto nečistoty patří především:

(1) Volný křemík. Část je rozpuštěna v krystalu SiC a část tvoří slitinu s jeho nečistotami (jako je železo, hliník, vápník atd.) a přilne ke krystalu nebo je v krystalu zapuštěna.

(2) Volný oxid křemičitý. Obvykle se nachází na povrchu krystalů. Většina z nich je způsobena kontaktní oxidací SiC kyslíkem nebo vodní párou ve vzduchu při procesu chlazení odporové pece. Když je v přísadách přebytek křemíkové suroviny, bude se také odpařovat a kondenzovat na povrchu krystalu karbidu křemíku a v peci se může objevit bílý a načechraný SiO2.

(3) Uhlík. Část uhlíku je obalena krystalem SiC a část tvoří karbidy s kovovými nečistotami. Pokud je v přísadách příliš mnoho uhlíku, lze vidět viditelné volné uhlíkové částice.

(4) Železo, hliník, vápník, hořčík atd. V důsledku vysokoteplotní redukční atmosféry v peci je většina těchto nečistot obsažených v krystalovém ingotu ve stavu slitiny nebo karbidu. Nečistoty jako železo, hořčík a vápník nevstupují do krystalové mřížky, ale hromadí se na hranicích zrn a v pórech. Hlavní nečistoty vstupující do SiC mřížky jsou dusík, hliník a hliník, které mají důležitý vliv na vodivé vlastnosti krystalu.